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  Infineon英飛凌高壓通用型N溝道功率MOSFET 2023-12-18 09:25:13

  英飛凌高功率 MOSFET 精選產(chǎn)品組合提供簡(jiǎn)單且具有價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力的解決方案，這些解決方案應(yīng)用廣泛并且質(zhì)量可靠。通用高功率MOSFET產(chǎn)品組合涵蓋 500 V 至 900 V 的電壓等級(jí)以及 RDS(on) 值在 180 m? 到 3400 m? 之間的多種型號(hào)器件，產(chǎn)品組合支持 10 余種不同封裝，例如 TO-252、SOT-223 和TO-247、 TO-220(FullPAK、FullPAK 窄引線)等多種類型。

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  ADI 晶圓半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì) 2020-12-25 16:53:12

  晶圓是制造半導(dǎo)體器件的基本原料。經(jīng)過60多年的技術(shù)演進(jìn)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展，晶圓材料已經(jīng)形成了以硅為主體、半導(dǎo)體新材料為補(bǔ)充的產(chǎn)業(yè)格局。高純度半導(dǎo)體是通過拉伸和切片的方法制成晶圓的。晶圓經(jīng)過一系列半導(dǎo)體制造工藝形成微小的電路結(jié)構(gòu)，再經(jīng)過切割、封裝、測(cè)試等工序制成芯片，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。